1发明阶段(1945-1960年):这个阶段主要是以1947年双极性晶体管的发明为标志。此后,半导体材料的这一特性得到较广泛应用。史密斯(C.S.Smith与1945发现了硅与锗的压阻效应[2],即当有外力作用于半导体材料时,其电阻将明显发生变化。依据此原理制成的压力传感器是把应变电阻片粘在金属薄膜上,即将力信号转化为电信号进行测量。此阶段最小尺寸大约为1cm
2技术发展阶段(1960-1970年):随着硅扩散技术的发展,技术人员在硅的001或(110晶面选择合适的晶向直接把应变电阻扩散在晶面上,然后在背面加工成凹形,形成较薄的硅弹性膜片,称为硅杯[3]这种形式的硅杯传感器具有体积小、重量轻、灵敏度高、稳定性好、成本低、便于集成化的优点,实现了金属-硅共晶体,为商业化发展提供了可能。
3商业化集成加工阶段(1970-1980年):硅杯扩散理论的基础上应用了硅的各向异性的腐蚀技术,扩散硅传感器其加工工艺以硅的各项异性腐蚀技术为主,发展成为可以自动控制硅膜厚度的硅各向异性加工技术[4],主要有V形槽法、浓硼自动中止法、阳极氧化法自动中止法和微机控制自动中止法。由于可以在多个表面同时进行腐蚀,数千个硅压力膜可以同时生产,实现了集成化的工厂加工模式,成本进一步降低。
4微机械加工阶段(1980年-今):上世纪末出现的纳米技术,使得微机械加工工艺成为可能。
通过微机械加工工艺可以由计算机控制加工出结构型的压力传感器,其线度可以控制在微米级范围内。利用这一技术可以加工、蚀刻微米级的沟、条、膜,使得压力传感器进入了微米阶段。
2压力传感器国内外研究现状
从世界范围看压力传感器的发展动向主要有以下几个方向。
2.1光纤压力传感器[5]
这是一类研究成果较多的传感器,但投入实际领域的并不是太多。工作原理是利用敏感元件受压力作用时的形变与反射光强度相关的特性,由硅框和金铬薄膜组成的膜片结构中间夹了一个硅光纤挡板,有压力的情况下,光线通过挡板的过程中会发生强度的改变,通过检测这个微小的改变量,就能测得压力的大小。这种敏感元件已被应用与临床医学,用来测扩张冠状动脉导管气球内的压力。可预见这种压力传感器在显微外科方面一定会有良好的发展前景。同时,加工与健康保健方面,光纤传感器也在快速发展。
2.2电容式真空压力传感器
[6]E+H公司的电容式压力传感器是由一块基片和厚度为0.82.8mm氧化铝(Al2O3构成,其间用一个自熔焊接圆环钎焊在一起。该环具有隔离作用,不需要温度补偿,可以保持长期测量的可靠性和持久的精度。测量方法采用电容原理,基片上一电容CP位于位移最大的膜片的中央,而另一参考电容CR位于膜片的边缘,由于边缘很难产生位移,电容值不发生变化,CP变化则与施加的压力变化有关,膜片的位移和压力之间的关系是线性的遇到过载时,膜片贴在基片上不会被破坏,无负载时会立刻返回原位无任何滞后,过载量可以达到100%,即使是破坏也不会泄漏任何污染介质。因此具有广泛的应用前景。
2.3耐高温压力传感器
新型半导体材料碳化硅(SiC出现使得单晶体的高温传感器的制作成为可能。Rober.S.Okoji报导了一种运行试验达500℃的α(6HSiC压力传感器.实验结果表明,输入电压为5V,被测压力为6.9MPa条件下,23500℃时的满量程输出为44.6620.03mV,满量程线度为20.17%,迟滞为0.17%500℃条件下运行10h,性能基本不变,100℃和500℃两点的应变温度系数(TCGF,分别为20.19%/℃和-0.11%/℃。这种传感器的主要优点是PN结泄漏电流很小,没有热匹配问题以及升温不产生塑性变型,可以批量加工。Ziermann,Rene报导了使用单晶体n型β-SiC材料制成的压力传感器,这种压力传感器工作温度可达573K,耐辐射。室温下,此压力传感器的灵敏度为20.2muV/VKPa
2.4硅微机械加工传感器
微机械加工技术逐渐完善的今天,硅微机械传感器在汽车工业中的应用越来越多。而随着微机械传感器的体积越来越小,线度可以达到12mm,可以放置在人体的重要器官中进行数据的采集。Hachol,A ndrzej;dziuban,JanBochenek报导了一种可以用于测量眼球的眼压计,其膜片直径为1mm内眼压为60mmHg时,静态输出为40mV,灵敏度系数比较高。
2.5具有自测试功能的压力传感器
为了降低调试与运行成本,DirkDeBruyker等人报导了一种具有自测试功能的压阻、电容双元件传感器,自测试功能是根据热驱动原理进行的,该传感器尺寸为1.2mm3mm0.5mm,适用于生物医学领域[7]
4结束语
